宁波石墨烯创新中心申请氮化物半导体晶体管结构专利,提高外延层的垂直耐压

金融界 2025-01-31 21:18:24

金融界2025年1月31日消息,国家知识产权局信息显示,宁波石墨烯创新中心有限公司申请一项名为“一种氮化物半导体晶体管结构”的专利,公开号CN119384022A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本发明公开了一种氮化物半导体晶体管结构,其外延结构包括导电衬底,衬底上的成核层,所述成核层上方设置缓冲层,所述缓冲层上方设置有p型氮化物掩埋层,还包括p型氮化物掩埋层上方的沟道层,沟道层上方的势垒层,外延结构表面制作晶体管结构包括源极,栅极,以及漏极。通过在p型氮化物掩埋层与沟道层界面处形成pn结空间电荷区,阻止在器件关断状态,且施加高漏极电压的情况下,栅极边缘由于雪崩离化产生的电子通过沟道层进入含碳掺杂的缓冲层。通过在p型掩埋层的下方设置高耐压的缓冲层结构来提高外延层的垂直耐压。

天眼查资料显示,宁波石墨烯创新中心有限公司,成立于2017年,位于宁波市,是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本19600万人民币,实缴资本19600万人民币。通过天眼查大数据分析,宁波石墨烯创新中心有限公司共对外投资了24家企业,参与招投标项目394次,知识产权方面有商标信息12条,专利信息398条,此外企业还拥有行政许可5个。

本文源自:金融界

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