IT之家2月1日消息，据彭博社报道，知情人士透露，三星电子公司已获得批准向英伟达供应其高带宽存储芯片，这家韩国芯片制造商的8层HBM3E于12月获批。
虽然该批准标志着三星向前迈进了一步，但它在高带宽内存（HBM）技术方面仍然落后于SK海力士和美光科技等竞争对手。SK海力士仍然是英伟达最先进的AI芯片的独家供应商，尤其是即将推出的Blackwell系列中采用12层HBM3E芯片的芯片。
IT之家注意到，去年12月有报道称，三星电子由于8层、12层堆叠HBM3E内存样品性能未达英伟达要求，难以在年内（2024年）正式启动向这家大客户的供应，实际供货将落到2025年。
据悉，三星电子早在2023年10月就开始向英伟达供应HBM3E内存的质量测试样品，但此前一年多的时间内三星HBM3E的认证流程并未取得明显进展。
