金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN119495583A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括功能面和非功能面；在所述非功能面上形成第一应力膜层结构；对所述晶圆进行激光退火处理；对所述晶圆进行激光退火处理之后，获取晶圆的翘曲度，判断晶圆是否发生翘曲若所述晶圆发生翘曲，获取晶圆的翘曲情况；根据所述晶圆的翘曲情况，对所述晶圆的非功能面进行离子注入，直至晶圆的翘曲度恢复正常状态。所述方法使得晶圆的翘曲度得到改善。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元，实缴资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(北京)有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目49次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。
本文源自：金融界
