金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种基片的预处理方法及等离子体刻蚀装置”的专利，公开号CN119495563A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基片的预处理方法及等离子体刻蚀装置。该方法包括：提供一半径为R的基片，其包含衬底和位于所述衬底上待处理的掩膜层；掩膜层至少包括环形的边缘区域；将基片置于等离子体刻蚀装置的反应腔中，偏置射频功率设置为0～50W；向等离子体刻蚀装置中通入工艺气体；根据所述掩膜层的关键尺寸分布情况控制所述等离子体刻蚀装置的腔室压力。本发明的预处理方法基于边缘区域的关键尺寸分布情况调节腔室压力进而控制基片的边缘区域的反应速率可以更加有效地提升基片的预处理效率，工艺窗口较大，处理后的基片一致性好。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币，实缴资本61927.9423万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目65次，知识产权方面有商标信息72条，专利信息1454条，此外企业还拥有行政许可71个。
本文源自：金融界
