金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“改善绝缘层破裂的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN119497474A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本公开提供了一种改善绝缘层破裂的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、电极和绝缘层，所述电极位于所述外延层的表面上，所述绝缘层位于所述电极的表面上；所述绝缘层包括：绝缘材料层和金属阻挡层，所述金属阻挡层位于所述绝缘材料层内。本公开实施例能改善绝缘层在键合过程中易破裂而导致发光二极管出现漏电失效的问题。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币，实缴资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目47次，专利信息929条，此外企业还拥有行政许可35个。
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