金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN119497362A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：第一栅极结构、第一沟道层以及第一源漏极构成下拉晶体管，第一栅极结构、第二沟道层以及第二源漏极构成上拉晶体管；栅极插塞，位于第一栅极结构的顶部，且栅极插塞与第一栅极结构电连接；介电层，位于基底顶部，且覆盖下拉晶体管、上拉晶体管以及栅极插塞；金属层，位于介电层的顶部；凹槽，贯穿金属层、介电层以及部分厚度的栅极插塞第三沟道层覆盖凹槽的底部和侧壁第二栅极结构，位于凹槽的剩余空间中，环绕第二栅极结构的栅极插塞用于作为第三源漏极，环绕第二栅极结构的金属层用于作为第四源漏极，第二栅极结构、第三沟道层、第三源漏极和第四源漏极构成传输门晶体管。提高半导体结构的集成度。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元，实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，知识产权方面有商标信息146条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。
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