金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN119497387A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法，包括：在下结构之上形成包括多个凹陷目标层的堆叠体；在堆叠体中形成牺牲隔离开口；在牺牲隔离开口中形成牺牲隔离层；在牺牲隔离层之间的堆叠体中形成牺牲垂直开口，其底表面设置在比牺牲隔离开口的底表面低的水平高度处；通过经由牺牲垂直开口使凹陷目标层凹陷来形成初步水平层；形成填充牺牲垂直开口的牺牲柱结构；通过去除牺牲隔离层形成单元隔离开口；通过经由单元隔离开口修整初步水平层来形成水平层；以及形成填充单元隔离开口的单元隔离层。
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