爱思开海力士申请半导体设备和该半导体设备的制造方法专利,涉及半导体设备及制造方法

金融界 2025-02-22 19:20:49

金融界2025年2月22日消息,国家知识产权局信息显示,爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体设备和该半导体设备的制造方法”的专利,公开号CN119497399A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本公开涉及半导体设备和该半导体设备的制造方法。一种半导体设备可以包括:第一导电线;第二导电线,其位于第一导电线上方,其中第一导电线和第二导电线在彼此相交的不同方向上延伸;可变电阻图案,其位于第一导电线与第二导电线之间;第一电极图案,其位于第一导电线与可变电阻图案之间;第一电阻率阻障图案,其位于第一导电线与第一电极图案之间;以及第一扩散阻障图案,其位于第一电阻率阻障图案与第一电极图案之间。

本文源自:金融界

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