金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统”的专利，公开号CN119497388A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统，所述半导体结构包括：堆叠结构和沟道结构；所述堆叠结构包括栅极层、层间绝缘层和顶部选择栅层，所述栅极层和所述层间绝缘层沿第一方向交替层叠设置，所述顶部选择栅层位于多个所述栅极层沿所述第一方向的一侧，且与所述栅极层之间设有所述层间绝缘层；所述沟道结构包括沟道层、功能层和栅介质层；其中，所述沟道层贯穿所述堆叠结构，所述栅介质层位于所述沟道层和所述顶部选择栅层之间，所述功能层位于所述沟道层和所述栅极层之间，所述功能层包括铁电存储层。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6471073.69万人民币，实缴资本6471073.69万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1392次，知识产权方面有商标信息947条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1004个。
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