京东方华灿光电申请改善可靠性的发光二极管及其制备方法专利,提升发光二极管的可靠性

金融界 2025-02-22 19:20:50

金融界2025年2月22日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司申请一项名为“改善可靠性的发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN119497472A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本公开提供了一种改善可靠性的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括:外延层、绝缘层、第一电极和第二电极;外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层,第二半导体层的表面具有露出第一半导体层的凹槽,绝缘层至少位于第二半导体层的表面上,绝缘层包括露出第二半导体层的第一通孔和多个第二通孔,第一通孔和第二通孔间隔排布,多个第二通孔环绕凹槽且间隔排布;第一电极至少位于凹槽内且与第一半导体层电性连接,第二电极位于绝缘层的远离外延层的一侧,且绝缘层通过第一通孔和第二通孔与第二半导体层电性连接。

天眼查资料显示,京东方华灿光电(苏州)有限公司,成立于2012年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币,实缴资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析,京东方华灿光电(苏州)有限公司参与招投标项目84次,专利信息519条,此外企业还拥有行政许可40个。

本文源自:金融界

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