金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN119497377A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种用于制造半导体器件的方法包括：通过在下结构之上顺序地形成第一层、第二层、第三层、第四层和第五层来形成堆叠体；在堆叠体中形成开口；通过使第二层和第四层从开口水平凹陷而暴露第三层的边缘来形成盖层；在盖层和第三层的边缘上形成衬垫结构；在衬垫结构之上形成牺牲衬垫材料；使牺牲衬垫材料和衬垫结构凹陷以暴露第三层的边缘；通过使第三层的暴露边缘凹陷来形成第三层图案；以及形成耦接到第三层图案的数据储存元件。
本文源自：金融界
