2月27日的消息显示，一家韩国科技媒体于前一日发布了一篇关于SK海力士的报道。报道称，SK海力士的第六代12层堆叠高带宽内存HBM4测试良率已成功达到70%。这一成果为HBM4即将进入量产阶段奠定了坚实的基础，同时也标志着SK海力士在相关市场竞争中占据有利地位。
良率是评估半导体制造过程中合格产品比例的重要指标，直接影响企业的市场竞争力。根据已知信息，SK海力士的12层堆叠HBM4在2024年底时良率已达到60%，而目前测试良率进一步提升至70%，表明其技术发展进展迅速。
据业内人士透露，SK海力士HBM4的性能提升得益于第五代10纳米级DRAM（1b）技术的应用。这项技术不仅经过了性能和稳定性的验证，还被应用于HBM3e产品中。此前，HBM3E曾实现了80%的目标良率，并将量产时间缩短了50%。基于这一经验，业内人士预测HBM4的12层堆叠产品也有望快速进入量产阶段。目前，SK海力士已完成内部的技术开发与评估工作，下一步将提供样品供客户进行性能测试，通过后即可正式启动量产。
此外，12层堆叠HBM4有望应用于英伟达下一代AI加速器“GraceHopper”系列。此前有消息称，英伟达计划将该系列的量产时间提前至2025年下半年。为了满足这一需求，SK海力士可能会进一步加快提升HBM4的良率和量产进程，确保按时交付产品，满足客户的高性能计算需求。
