金融界2025年2月28日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司取得一项名为“一种光电探测器件”的专利，授权公告号CN222532119U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种光电探测器件，包括：设于衬底上的光电探测器件层，和包覆于所述光电探测器件层上的应力源层，所述光电探测器件层设有光吸收区层，所述应力源层用于向所述光吸收区层提供应力，使所述光吸收区层对应产生拉伸应变，以使所述光吸收区层由具有间接带隙结构向直接带隙结构转变。本实用新型能够解决传统硅基锗光电探测器吸收系数从1.55μm开始急剧下降，导致传统的硅基锗雪崩探测器在低传输损耗光波段间的响应率较低的问题，并能提高光电探测器的灵敏度、高波段响应率与探测性能水平。
天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币，实缴资本19560万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目289次，知识产权方面有商标信息94条，专利信息2055条，此外企业还拥有行政许可86个。
本文源自：金融界
