金融界2025年3月17日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种喷淋板结构及应用其的气相沉积设备”的专利，公开号CN119615119A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公
开了一种喷淋板结构
及应用其的气相沉积
设备，喷淋板结构包括
喷淋板组件以及加热
组件，加热组件包括环
形的加热丝单元，加热
丝单元嵌套在喷淋板
组件内，且沿周向环绕
喷淋板组件。本发明中
的加热丝单元嵌套在
喷淋板组件内，即两者
为一体结构，这种设置方式使得加热丝单元与喷淋板组件有更
多的接触面积，且热量不容易扩散外部，因此能够提高加热的
效率，同时保证加热丝单元与喷淋板组件的温度基本相当，避
免两者温差过大而影响薄膜的沉积效果，解决了传统方案中，
因加热环和喷淋板是两个部件而导致加热环的温度与喷淋板
的温度存在差异，进而影响薄膜沉积效果的技术问题。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50000万人民币，实缴资本36168.02万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息237条，此外企业还拥有行政许可10个。
本文源自：金融界
