浙江创芯申请改善半导体器件中芯片制造良率专利,提高晶圆良率

金融界 2025-03-19 11:22:56

金融界2025年3月19日消息,国家知识产权局信息显示,浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“一种改善半导体器件中芯片制造良率的方法”的专利,公开号CN119626986A,申请日期为2025年2月。

专利摘要显示,本发明公开一种改善半导体器件中芯片制造良率的方法。本发明通过优化光罩中dummypattern的关键尺寸大小,改善HDPDEP后的尖角效应,减少STICMP过程中的刮伤源,从而降低微刮伤的数量,提高晶圆的良率。本发明通过减少芯片细微刮伤,降低因刮伤导致的芯片缺陷与失效概率,从而提升半导体器件产品良率。

天眼查资料显示,浙江创芯集成电路有限公司,成立于2020年,位于杭州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币,实缴资本134000万人民币。通过天眼查大数据分析,浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目245次,财产线索方面有商标信息14条,专利信息260条,此外企业还拥有行政许可4个。

本文源自:金融界

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