3月19日消息，据相关报道，欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES于当地时间18日正式启动，并对外公开征集基于10nm和7nmFD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计方案。这一项目旨在推动下一代低功耗高性能芯片技术的发展。
FAMES项目的协调员DominiqueNoguet表示，基于10nmFD-SOI工艺的测试芯片预计将在2027年面世。该项目将采用193nm波长的ArFi深紫外光刻技术，并通过自对准双重曝光（SADP）工艺实现更精细的制程控制。
此外，FAMES中试线还将提供用于先进FD-SOI节点性能评估的工艺设计套件（PDK），以及用于多项目晶圆（MPW）测试设计的专用PDK，以支持研发过程中的技术验证与优化。
除了逻辑工艺的研发，FAMES项目还特别关注配套的片上嵌入式非易失性存储（NVM）技术。目前，由FAMES牵头的法国CEA-Leti研究机构已经成功开发出氧化物基阻变存储器（OxRAM）样品，同时正在积极推进铁电存储器（FRAM/FeFET）和磁性存储器（MRAM）的研究工作，以满足未来多样化应用需求。
