金融界2025年3月20日消息，国家知识产权局信息显示，成都沃特塞恩电子技术有限公司申请一项名为“微波等离子体化学气相沉积设备及改善镀膜质量的方法”的专利，公开号CN119640243A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明提供了一种微波等离子体化学气相沉积设备及改善镀膜质量的方法，属于微波技术领域。上述沉积设备包括机架、腔体、样品台及升降驱动装置，机架包括放电腔底板。腔体的底部与放电腔底板的上部连接，并围合形成放电腔。样品台设置在放电腔内，样品台的底部设置有升降杆，放电腔底板上设置有安装孔，升降杆可滑动地穿过安装孔。升降驱动装置与升降杆的底部连接，用于驱动升降杆带动样品台上下移动。上述方法使用了上述沉积设备，通过将样品台上下移动一定距离，能够改善电磁场分布情况，使得等离子球更加扁平，进而能够使得镀膜厚度更加均匀，提高镀膜质量。
天眼查资料显示，成都沃特塞恩电子技术有限公司，成立于2015年，位于成都市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本359.0947万人民币，实缴资本359.0947万人民币。通过天眼查大数据分析，成都沃特塞恩电子技术有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目59次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息272条，此外企业还拥有行政许可3个。
本文源自：金融界
