金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN119654063A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供衬底；于衬底上形成第一金属结构和第一层间介质层；其中，第一金属结构包括第一极板、第一引出线和第二引出线，第一极板、第一引出线第二引出线形成了第一凹槽；第一层间介质层填满第一凹槽；去除部分第一层间介质层，暴露出第一引出线的侧壁和第二引出线的侧壁；于暴露出的第一引出线的侧壁、第二引出线的侧壁、以及第一层间介质层远离第一极板的一侧，形成第二层间介质层；于第二层间介质层远离第一凹槽的一侧，形成第二金属结构和第三层间介质层；其中，第二金属结构包括第二极板、第三引出线、第四引出线。采用本申请的制备方法可以降低MIM电容的制备难度。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币，实缴资本152959.1001万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目618次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1039条，此外企业还拥有行政许可16个。
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