金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，台亚半导体股份有限公司申请一项名为“硅基板结构”的专利，公开号CN119653843A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本发明涉及一种硅基板结构，包括一基板、一第一沟槽、一第二沟槽以及一第三沟槽。该基板包含一第一表面及一第二表面，该第一表面形成于硅(111)晶格面的一侧，该第二表面形成于硅(111)晶格面的相对另一侧；该第一沟槽沿一第一方向设置于该基板的该第二表面；该第二沟槽沿一第二方向设置于该基板的该第二表面；该第三沟槽沿一第三方向设置于该基板的该第二表面；其中，该第一方向定义为硅(111)晶格面至硅(1‑1‑1)晶格面的方向，该第二方向定义为硅(111)晶格面至硅(111)晶格面的方向该第三方向定义为硅[1‑10]晶向的轴向。本发明的硅基板结构可于磊晶过程中减少裂纹发生，提升均匀性，并进一步提高磊晶膜的生产良率。
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