金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN119653781A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有掩膜层，所述掩膜层暴露所述衬底内需要形成高阻结构的区域；采用离子注入工艺于所述区域内注入离子；去除所述掩膜层并进行退火工艺，于所述区域内形成绝缘埋层，并于所述绝缘埋层上形成结晶层，以形成包括所述绝缘埋层和所述结晶层的高阻结构。半导体器件包括衬底和高阻结构，所述高阻结构包括位于所述衬底内的绝缘埋层和位于所述绝缘埋层上的结晶层。本申请通过于衬底内形成高阻结构，提升了高阻结构的阻值统一性，有助于减小后续形成的层间介质层的厚度，降低了半导体器件的寄生电容和器件功耗。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币，实缴资本152959.1001万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目618次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1039条，此外企业还拥有行政许可16个。
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