金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，杭州大和热磁电子有限公司申请一项名为“种半导体制冷片焊接结构及方法”的专利，公开号CN119654046A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体制冷片焊接结构及方法，旨在解决半导体制冷片组装焊锡容易从侧边溢出并接触到碲化铋材料，导致热电半导体颗粒性能衰减的不足。该发明包括两基板和设置在两基板之间的多颗热电半导体颗粒，两基板的相对面上均预装多颗与热电半导体颗粒一一对应的铜焊盘，铜焊盘上设置下沉的填锡槽，填锡槽中填充有组装焊锡，热电半导体颗粒的端部完全遮盖填锡槽，组装焊锡与热电半导体颗粒的端部焊接。半导体制冷片组装过程中，焊锡不易从侧边溢出并接触到碲化铋材料，避免接触反应，增强半导体制冷片的可靠性，并良好的控制焊锡的量。
天眼查资料显示，杭州大和热磁电子有限公司，成立于1992年，位于杭州市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本2969696.9899万日元，实缴资本605991.9476万日元。通过天眼查大数据分析，杭州大和热磁电子有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目15次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息538条，此外企业还拥有行政许可112个。
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