金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN119653844A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，其中的半导体器件包括：衬底；外延层；外延层包括远离衬底一侧的第一表面，外延层还包括阱区和第一区域；在第一表面设置有栅极沟槽，栅极沟槽从第一表面延伸至外延层中；栅极结构，位于栅极沟槽内，栅极结构包括形成在栅极沟槽表面的第一绝缘层，以及形成在第一绝缘层内的第一多晶硅层和第一导电材料层，第一导电材料层的电导率大于第一多晶硅层的导电率；源极，形成在第一表面，且与第一区域电连接；漏极，设置于衬底的远离外延层的一侧。本申请公开的技术方案降低了栅极结构的方块电阻，从而降低器件开启瞬态的导通电阻。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本29570.8317万人民币，实缴资本26690.5937万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息74条，专利信息171条，此外企业还拥有行政许可11个。
本文源自：金融界
