金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市美浦森半导体有限公司申请一项名为“一种提升PowerMOSFET鲁棒性的N型源极制造方法”的专利，公开号CN119653800A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请涉及PowerMOSFET制造的技术，公开了一种提升PowerMOSFET鲁棒性的N型源极制造方法，包括：在半导体基板构建栅极结构；采用精确的注入设备，按照预定的剂量和能量将导电型杂质注入到具有栅极结构的半导体基板内，形成第一主体；通过控制参数，在形成第一主体的表面构建出第一导电源区域；利用化学气相沉积在形成第一导电源区域的半导体基板上形成层间绝缘膜；通过蚀刻工艺对层间绝缘膜和半导体基板进行蚀刻操作，形成第一沟槽；采用植入工艺，将导电型杂质植入到第沟槽暴露的半导体基板表面，以形成具有特定电学性能的第二主体；本申请通过多步注入到主体的掺杂方法，使主体掺杂轮廓不均匀，从而不会影响MOSFET的门限电压，并且可以改善UIS特性。
天眼查资料显示，深圳市美浦森半导体有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2472.9613万人民币，实缴资本1627.704766万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市美浦森半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可20个。
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