金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN119653817A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源区；隔离层，形成于所述有源区的衬底中；栅极层，形成于所述有源区的衬底上，所述栅极层包括主栅和扩展栅，所述主栅与所述扩展栅断开，所述主栅与所述扩展栅在所述衬底上的投影通过所述隔离层连接。本发明使得能够在保持栅极层原有作用的同时，还能消除寄生电容对半导体器件性能的影响。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币，实缴资本578214.4726万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目209次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1725条，此外企业还拥有行政许可105个。
本文源自：金融界
