金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置”的专利，公开号CN119653778A，申请日期为2020年8月。
专利摘要显示，一种半导体存储器装置可以包括：电极结构，该电极结构包括堆叠在基板上的多个栅极导电膜；以及沟道阵列，其中，穿过电极结构的多个沟道柱在第二方向上布置。多个沟道柱包括最上平面具有第一形状的第一柱和最上平面具有第二形状的第二柱。N个第一柱和N个第二柱可以在不同于第二方向的第一方向上交替布置，N是大于或等于1的自然数。
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