金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN119653772A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本揭露的实施例提供一种制造半导体结构的方法。该方法包括：提供包括主动区及位于主动区之间的隔离区的基板多个位元线结构形成在基板的顶表面上。在每个位元线结构上沉积第一氧化物层。在第一氧化物层上沉积间隔件结构。间隔件结构为多层结构且包括第二氧化物层。移除第一氧化物层及第二氧化物层以形成第一气隙及第二气隙作为间隔件。在多个位元线结构、第一个气隙及第二气隙上方形成多个接触垫。此外，本揭露还提供一种半导体结构。
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