金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，晶芯成（北京）科技有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法和半导体结构”的专利，公开号CN119653849A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法和半导体结构，涉及半导体制造技术领域。该半导体结构的制造方法包括：提供基底；其中，基底包括衬底和间隔设置于衬底上的至少两个栅极结构；栅极结构凸出衬底的表面；相邻的两个栅极结构在衬底上的投影之间的间隔距离为第一距离；在栅极结构上形成聚合层，得到过渡栅极结构；其中，相邻的两个过渡栅极结构在衬底上的投影之间的间隔距离为第二距离第二距离小于第一距离；基于第二距离，在衬底内形成西格玛沟槽。通过本申请实施例，利用对聚合层厚度的控制实现了对西格玛沟槽的顶部尺寸的调节，降低了西格玛沟槽关键尺寸的调节难度，提升了西格玛沟槽关键尺寸的调节能力。
天眼查资料显示，晶芯成（北京）科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本20万人民币，实缴资本20万人民币。通过天眼查大数据分析，晶芯成（北京）科技有限公司专利信息191条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
