金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，苏州立琻半导体有限公司申请一项名为“一种改善UVCLED器件抗ESD能力的结构及方法”的专利，公开号CN119653940A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种改善UVCLED器件抗ESD能力的结构及方法。UVC外延结构包括n型半导体层、有源层和p型半导体层，n型半导体层包括沿指定方向依次层叠设置的第一层、第二层和第三层，第一层具有第一Al组分含量，第二层具有第二Al组分含量，第三层具有第三Al组分含量；第一层至少包含第一n型掺杂浓度，第二层至少包含第二掺杂浓度第二层至少包含第三掺杂浓度第一Al组分含量大于第二Al组分含量、第三Al组分含量，第一n型掺杂浓度小于第二n型掺杂浓度、第三n型掺杂浓度，第一n型掺杂浓度为低掺杂浓度或非故意掺杂。本发明中的n型半导体层中的第四层到第一层，各层对应的Al组分含量先降低后升高，控制各层掺杂关系，可以有效降低ESD。
天眼查资料显示，苏州立琻半导体有限公司，成立于2021年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本9038.6025万人民币，实缴资本8917.9572万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州立琻半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息860条，此外企业还拥有行政许可17个。
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