金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，武汉华星光电技术有限公司申请一项名为“薄膜晶体管和电子器件”的专利，公开号CN119653834A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本申请提供一种薄膜晶体管和电子器件；该薄膜晶体管通过使有效部设置于阻挡层的侧壁上，且第一连接部和第二连接部分别与位于阻挡层上下的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层接触，可以通过阻挡层的厚度和角度控制沟道长度，利用现有工艺减小沟道长度，减小薄膜晶体管的体积，提高迁移率；且通过使第二电极穿过沟道层与第二欧姆接触层接触，使得即使第二欧姆接触层被过刻蚀，第二电极仍然能够与第二欧姆接触层正常工作；和/或使第一电极穿过阻挡层与第一欧姆接触层接触，或者第一电极穿过沟道层与第一欧姆接触层接触，使得即使第一欧姆接触层被过刻蚀，第一电极仍然能够与第一欧姆接触层正常工作，提高显示面板的良率，减小薄膜晶体管的尺寸。
天眼查资料显示，武汉华星光电技术有限公司，成立于2014年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1191853.7749万人民币，实缴资本700000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉华星光电技术有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目648次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可261个。
本文源自：金融界
