金融界2025年3月24日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“改善单晶硅片气孔的方法及中部加热器”的专利，公开号CN119663421A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善单晶硅片气孔的方法及中部加热器，属于单晶硅生产技术领域。包括以下步骤：S1、在单晶炉上依次安装底部加热器、中部加热器及上部加热器，所述中部加热器包括加热器主体及连接支脚，所述加热器主体包括竖直部及倾斜部，所述竖直部及所述倾斜部的位置与坩埚的R部及底部相对应，以通过竖直部及倾斜部对坩埚R部及底部进行加热；S2、在化料过程中，开启上部加热器、中部加热器以及底部加热器，对坩埚内的多晶硅料进行熔化；S3、化料结束后，关闭中部加热器及底部加热器，并继续后续的拉晶工序。本发明通过中部加热器及底部加热器的综合作用，使坩埚底部温度高于坩埚上部温度，坩埚底部熔硅中的气泡能够有效溢出，从而有效改善单晶硅片的气孔。
天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币，实缴资本9000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息269条，此外企业还拥有行政许可22个。
本文源自：金融界
