陕西电子芯业时代申请基于SiNx/SiO2Liner的DTI结构及其制备方法专利,提高了DTI的击穿电压

金融界 2025-03-27 11:25:02

金融界2025年3月27日消息,国家知识产权局信息显示,陕西电子芯业时代科技有限公司申请一项名为“一种基于SiNx/SiO2Liner的DTI结构及其制备方法”的专利,公开号CN119677150A,申请日期为2024年11月。

专利摘要显示,本发明提供一种基于SiNx/SiO2Liner的DTI结构,包括设于底部的硅衬底、设于所述硅衬底顶部表面的埋层、自所述硅衬底上生长形成的外延、及设于所述埋层和所述外延之间的埋层反向扩展;依次贯穿所述外延、所述埋层反向扩展和所述埋层且延伸至所述硅衬底内呈U型的DTI深槽,Liner的ISSGSiO2底层、Liner的SiNx顶层及HARPSiO2层依次覆设于所述DTI深槽内,并通过多晶硅层填充所述DTI深槽。本发明还提供了一种基于SiNx/SiO2Liner的DTI结构的制备方法,将Lineroxide由SiNx顶层/ISSGSiO2底层的NO两层Liner代替,减少了附加的高温退火步骤,提高了DTI的击穿电压,减小了隔离漏电,并能减小应力累积;同时,采用两次HARPSiO2层填充并两次退火的工艺,避免了HARPSiO2层应力过大导致剥落的可能性。

天眼查资料显示,陕西电子芯业时代科技有限公司,成立于2022年,位于西安市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200000万人民币,实缴资本125000万人民币。通过天眼查大数据分析,陕西电子芯业时代科技有限公司参与招投标项目155次,专利信息19条,此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自:金融界

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