金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN119742276A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中制备方法包括以下步骤：提供基底；在基底上形成隔离层；在隔离层上形成特定结构的第一金属结构层；于第一金属结构层上形成自然氧化层；在自然氧化层上形成保护层；在保护层上形成掩膜层，以该掩膜层为掩膜向下刻蚀保护层和自然氧化层，形成预留的交叠结构位置；在预设条件下，于对应预留的交叠结构位置的第一金属结构层上形成后续氧化层；在后续氧化层上形成第二金属层，刻蚀该第二金属层形成交叠结构，且在刻蚀该第二金属层时将保护层作为刻蚀截止层以保护第一金属结构层。本发明可以有效防止刻蚀第二层金属时损伤非交叠结构处的第一层金属结构层，避免可靠性出现问题。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币，实缴资本152959.1001万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目621次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1080条，此外企业还拥有行政许可16个。
本文源自：金融界
