金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“用于嵌入式管芯及其在集成电路封装上的组装的深腔金属化和基准布置”的专利，公开号CN119742292A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种电子封装，包括：衬底芯；一个或多个电介质材料层，在所述衬底芯之上，并具有下电介质材料层以及包括最上金属化层的多个金属化层；集成电路(IC)管芯，嵌入所述电介质材料层内且在所述最上金属化层下方；以及至少一个导电特征，在所述IC管芯下方并耦合到所述IC管芯。所述导电特征的面朝下的表面位于所述下电介质材料层上，并在所述导电特征与所述下电介质材料层之间的结处限定水平平面。所述下电介质材料层具有面向上的表面，所述面向上的表面面向与所述导电特征相邻的所述IC管芯的方向，所述面向上的表面从所述水平平面垂直偏移。
本文源自：金融界
