金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件”的专利，公开号CN119742224A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本申请公开了在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及半导体器件，方法包括：提供至少具有第一栅极和第二栅极的半导体结构；在半导体结构的表面形成第一应力介质层；蚀刻第一应力介质层；在半导体结构的表面形成第二应力介质层；第一应力介质层为按如下形成的压应力介质层：第一沉积处理，在半导体结构的表面沉积具有第一沉积厚度的第一介质层；对第一介质层的整个膜层进行第一等离子体处理，其中第一沉积厚度不超过第一等离子体处理的处理深度；基于设置的第一循环次数，多次循环执行第一沉积处理和第一等离子体处理，在半导体结构的表面形成压应力介质层。本申请可改善伪栅移除后的栅极结构的形貌，进而改善金属填充。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币，实缴资本152959.1001万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目621次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1080条，此外企业还拥有行政许可16个。
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