金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“利用先进控制的整合CMOS源极漏极形成”的专利，公开号CN119742222A，申请日期为2019年7月。
专利摘要显示，一种finFET器件包括掺杂的源极及/或漏极延伸部，所述源极及/或漏极延伸部设置在finFET的栅极间隔物与其上设置n掺杂或p掺杂的源极或漏极延伸部的半导体基板的主体半导体部分之间。掺杂的源极或漏极延伸部通过选择性外延生长(SEG)工艺形成在靠近栅极间隔物形成的空腔中。在形成空腔之后，先进处理控制(APC)(亦即，整合的度量法)用于在不将基板暴露于氧化环境的情况下确定凹陷距离。各向同性蚀刻工艺、度量法及选择性外延生长可在同一平台中执行。
本文源自：金融界
