金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构、具有空气间隙子的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN119764289A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件，包括一基底、一第一介电层、一导电层、一绝缘罩盖层、一栅极结构、一第一导电元件以及一第二导电元件。该第一介电层设置在该基底上。该导电层设置在该第一介电层上。该导电层包括多条导线。该绝缘罩盖层设置在该导电层上，并经配置以封闭该等导线之间的多个第一间隙，以形成多个空气间隙子。栅极结构设置于该基底的上表面。第一导电元件接触该等导线中的第一导线。第二导电元件接触该等导线中的第二导线。
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