金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体器件、制备方法及电子设备”的专利，公开号CN119764290A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件、制备方法及电子设备。该半导体器件包括基底、阻挡层、补偿层和多个接触孔，基底包括栅极结构和有源区，阻挡层覆盖栅极结构和有源区的顶面，补偿层位于阻挡层远离栅极结构的顶面，多个接触孔沿垂直基底顶面的方向贯穿阻挡层和补偿层，且暴露部分基底的顶面。通过在阻挡层远离栅极结构的顶面形成补偿层，补偿层可以补偿栅极结构顶面阻挡层厚度，以使栅极结构顶部的膜层厚度等于有源区顶面的膜层厚度，进而可以在形成多个接触孔的情况下，在接触孔暴露有源区顶面的过程中，确保栅极结构的顶面不被刻蚀，可以避免栅极结构顶面因刻蚀造成的高度差，进而造成接触孔内的接触电阻升高的问题，提高半导体器件的电性和可靠性。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币，实缴资本1607601.0503万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1804次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息976条，此外企业还拥有行政许可180个。
本文源自：金融界
