金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，晶芯成（北京）科技有限公司申请一项名为“一种半导体器件及制造方法”的专利，公开号CN119764251A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及制造方法，涉及半导体技术领域。本申请提供的半导体制造方法可以在隔离沟槽的沟槽内壁处形成保护层，从而在衬底被刻蚀时，基于保护层的刻蚀速率小于衬底的刻蚀速率而使保护层维持隔离沟槽的完整沟槽结构，以留存隔离沟槽的基本结构使其不会随衬底的刻蚀而被破坏。由此，基于前述保护层的保护，在半导体单元的源漏极区域形成的锗硅容纳结构不会破坏与其相邻的隔离沟槽，使隔离沟槽与锗硅容纳结构都具有完整的结构，保证半导体单元的性能。此外，考虑到锗硅容纳结构不会破坏与其相邻的隔离沟槽，则在制备锗硅容纳结构时，可以降低锗硅容纳结构与隔离沟槽的距离，从而提高半导体器件的集成度。
天眼查资料显示，晶芯成（北京）科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本20万人民币，实缴资本20万人民币。通过天眼查大数据分析，晶芯成（北京）科技有限公司专利信息198条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
