金融界2025年4月7日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN119764256A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明公开一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括下列步骤：提供衬底，衬底的顶部形成有第一中间结构层，以及沿垂直第一中间结构层顶面的第一方向贯穿第一中间结构层的第一金属结构；在第一中间结构层的顶面上依次形成第一刻蚀停止层、第二刻蚀停止层、第二中间结构层和硬掩模层；执行一体化刻蚀工艺，形成贯穿第二中间结构层的开口，直至露出第二刻蚀停止层；分步执行干法刻蚀工艺，以分别去除第二刻蚀停止层刻蚀停止层干法刻蚀工艺还用于去除部分硬掩模层；在开口中形成第二金属结构，第二金属结构与第一金属结构互连；执行化学机械研磨，以完全去除硬掩模层。优化了半导体器件的制备过程，提高了半导体器件的性能和良率。
天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币，实缴资本152959.1001万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目620次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1074条，此外企业还拥有行政许可16个。
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