金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“去除供体晶圆上的缺陷管芯以用于选择性层转移”的专利，公开号CN119789505A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，在一个实施例中，一种选择性转移工艺包括在第一衬底上形成一层集成电路(IC)部件。所述方法还包括将液滴分配到第二衬底的多个区域的子集中，其中，所述第二衬底的所述区域由图案化成匹配所述第一衬底上的IC部件的布局的疏水线限定。所述方法还包括将所述第一衬底部分键合到所述第二衬底，其中，所述第一衬底上的所述IC部件的子集(例如，经由毛细管力)被键合到所述第二衬底上的所述液滴，以及从所述第二衬底分开所述第一衬底。在所述第一衬底从所述第二衬底分开时，所述IC部件的所述子集与所述第一衬底分开并且保留在所述第二衬底上。
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