金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请一项名为“一种AlGaN基UVB外延片结构及其制备方法”的专利，公开号CN119789625A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明属于紫外LED芯片技术领域，具体涉及一种AlGaN基UVB外延片结构及其制备方法，制备方法包括下列步骤：在蓝宝石衬底表面制备5nm~30nm的AlNbuffer层；将制备有AlNbuffer层的蓝宝石衬底放置在MOCVD中生长结构层；生长3DAlGaN层；生长2DAlGaN层；生长组分为50%~60%的AlGaN层；生长掺Si的nAlGaN层；生长多量子阱有源层；生长EBL层；生长空穴注入层；生长空穴供给层。本发明通过合理设置最后两对量子阱的组分渐变，实现固定单一组分量子阱的生长，降低了电子和空穴波函数的空间分离，提高了载流子辐射符合的效率，提高了有效波段积分面积和波谱总积分面积的占比。
天眼查资料显示，山西中科潞安紫外光电科技有限公司，成立于2018年，位于长治市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41315.9166万人民币，实缴资本35523.9166万人民币。通过天眼查大数据分析，山西中科潞安紫外光电科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目16次，财产线索方面有商标信息110条，专利信息296条，此外企业还拥有行政许可16个。
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