金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“18176.介电触点蚀刻”的专利，公开号CN119811996A，申请日期为2018年1月。
专利摘要显示，提供了一种用于在等离子体处理室中形成半导体器件的方法。原子层蚀刻相对于SiN选择性地蚀刻SiO并沉积氟化聚合物。剥离所述氟化聚合物层，其包括使包含氧的剥离气体流入等离子体处理室，由剥离气体形成等离子体，并停止剥离气体的流动。相对于SiO以及SiGe和Si选择性地蚀刻SiN层。
本文源自：金融界
朗姆研究公司申请介电触点蚀刻专利，用于在等离子体处理室中形成半导体器件
金融界
2025-04-19 11:28:21
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