金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，北京市天润中电高压电子有限公司申请一项名为“一种脉冲高压硅堆制造方法”的专利，公开号CN119849402A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种脉冲高压硅堆制造方法，该方法包括：通过分析当前次迭代及其之前所有次迭代下，各类待优化目标在任一类待优化电路参数下仿真结果的变化趋势，以确定当前次迭代下的综合仿真变化系数；通过分析各次迭代与其相邻前一次迭代下每个雾凇粒子的位置更新坐标之间的距离，并评估当前次迭代及其之前所有次迭代下位置变化量的变化趋势，确定当前次迭代下每个雾凇粒子的位置变化程度，结合所述综合仿真变化系数，对脉冲高压硅堆的待优化参数进行优化。本申请通过动态调整雾凇粒子的粘附度，提高雾凇粒子收敛到pareto最优解的精度以及脉冲高压硅堆产品的性能。
天眼查资料显示，北京市天润中电高压电子有限公司，成立于2006年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，北京市天润中电高压电子有限公司参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可4个。
本文源自：金融界
