金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有互补的相邻单元的堆叠随机存取存储器”的专利，公开号CN119856579A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，提供一种集成电路(IC)的场效应晶体管(FET)单元结构。该FET单元结构包括第一和第二相邻单元。第一和第二相邻单元中的每一个跨越第一层和第二层。第二层垂直堆叠在第一层上。第一单元包括在第一和第二层中的一层上的n掺杂FET(NFET)和在第一和第二层中的另一层上的p掺杂FET(PFET)。第二单元包括在第一和第二层中的一层上的与第一单元中的NFET的数量不同的多个NFET和在第一和第二层中的另一层上的与第一单元中的PFET的数量不同的多个PFET中的至少一个。
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