金融界2025年4月21日消息,国家知识产权局信息显示,国际商业机器公司申请一项名为“具有绝缘层的多丝电阻存储器”的专利,公开号CN119856585A,申请日期为2023年9月。
专利摘要显示,一种晶界自动对准的电阻存储器结构,其可使多个以氧化物为主的ReRAM元件并联紧密地组合形成,各元件具有其自身的顺从电阻器。该结构能够形成多丝,每个元件一个细丝,目的是降低复合ReRAM单元中的可变性。
本文源自:金融界
金融界2025年4月21日消息,国家知识产权局信息显示,国际商业机器公司申请一项名为“具有绝缘层的多丝电阻存储器”的专利,公开号CN119856585A,申请日期为2023年9月。
专利摘要显示,一种晶界自动对准的电阻存储器结构,其可使多个以氧化物为主的ReRAM元件并联紧密地组合形成,各元件具有其自身的顺从电阻器。该结构能够形成多丝,每个元件一个细丝,目的是降低复合ReRAM单元中的可变性。
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