金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“存算一体电路及SRAM存储器”的专利，公开号CN119851720A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，一种存算一体电路及SRAM存储器，存算一体电路包括：写操作单元电路，包括第一晶体管以及与第一晶体管耦接的阻变存储器；与写操作单元电路相耦接的读操作单元电路，包括第二晶体管以及与第二晶体管耦接的第三晶体管，第二晶体管与阻变存储器的耦接点、第一晶体管与第二晶体管的耦接点、以及第一晶体管与阻变存储器的耦接点为同一个耦接点。写操作单元电路和读操作单元电路相互隔离，也就是说存算一体电路具有单独的写操作路径和读操作路径，即存算一体电路具有读写分离的功能，从而使存算一体电路的读操作和写操作稳定性能够提高，同时，存算一体电路不工作时，可以实现零能耗，降低电路的整体能耗，另外该存算一体电路占用的面积变小。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目117次，财产线索方面有商标信息147条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
本文源自：金融界
