文春公子

光刻法是当前硅基芯片制造过程中最重要的方法之一。通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。光刻机是生产线上最贵的机台，5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统(由15～20个直径为200～300mm的透镜组成)和定位系统(定位精度小于10nm)。它利用光线照射刻录好的光掩膜板，将上面的电路图投影到硅晶圆上，类似于投影机的原理。

在这个过程中，光刻机是最重要的工具之一，其分辨率决定了芯片工艺。光刻机包括DUV光刻机、浸润式光刻机、EUV光刻机等，这些一代又一代的光刻机不断提高的关键指标是分辨率，也就是投影的精度。对应的就是芯片工艺，例如EUV光刻机用于7nm及以下的芯片。

目前全球只有少数几家厂商能够生产制造芯片的前道光刻机，分别是荷兰的ASML、日本的尼康、佳能，以及中国的上海微电子。

ASML是全球唯一能够制造EUV光刻机的厂商，其技术实力在芯片制造领域非常领先。其他厂商如尼康、佳能和上海微电子的水平相对较低，但仍具有一定的竞争力。

由于ASML在EUV光刻机领域的垄断地位，许多芯片制造商都在寻求其他技术，以避免必须购买ASML的设备才能进入7nm及以下的芯片领域。这些技术在不断研究和开发中，但目前仍没有能够替代EUV光刻机的成熟技术。

尽管如此，芯片制造商们仍在不断探索和研发新的技术，以期在未来能够突破当前技术的限制，推动芯片制造技术的发展。

目前还没有任何厂商成功突破EUV光刻机的限制，但是随着技术的不断发展和创新，突破这个限制的可能性是存在的。

佳能最近表示，他们计划在2025年基于自己的NIL纳米压印技术，实现5nm芯片的制造，不再需要EUV光刻机。

佳能公司的NIL纳米压印技术是一种光刻技术，是将电路图刻录到一个专用的“章子”上，然后再将这个“章子”盖到硅晶圆上，在硅晶圆上就有了电路图，最终制造成芯片。与光刻技术不同，NIL技术不需要使用EUV光刻机，而是采用电子束刻蚀技术，避免了光的衍射。它可以解决光学衍射所带来的分辨率限制，使电子线路宽度更小，理论上，它的分辨率要高于EUV光刻机。

虽然佳能的计划看起来很有前景，但要实现5nm芯片的制造还需要克服很多技术难题。

国内也有很多公司在研究NIL纳米压印技术，但是总体而言，比佳能还是落后一些。从专利来看，在NIL纳米压印技术上，佳能专利拥有913件，差不多接近所有专利的100%,明显是一家独大的。不过虽然专利不行，国产技术还是有成绩的，比如天仁微纳，就有类似的技术，只不过目前没有用在逻辑芯片上，更多是用在DOE、AR/VR衍射光波导(包括斜齿光栅)、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列等领域。

据称最近在国内也有了突破，但是真假未知。如果是真的，那还是很让人兴奋的。#科技情报局#