国产三路并进挑战ASML，EUV光刻机突破在即，芯片突围曙光初现！在全球芯片产业的技术竞逐中，光刻机始终是突破壁垒的关键。ASML凭借其在高端光刻设备领域的绝对主导地位，牢牢掌控着芯片制造的技术命脉。尤其在EUV设备方面，ASML不仅垄断了市场，更几乎决定了全球芯片工艺的天花板。台积电、三星、英特尔等行业巨擘无一例外地依赖于这家欧洲巨头，EUV光刻机成为它们迈入先进制程的唯一通行证。
中国半导体产业却长期面临技术封锁。美国出于地缘政治考量，直接切断了包括EUV在内的高端光刻机向中国的出口，甚至连次一级的高端DUV系统同样被列入管控名单。这一举措，几乎将中国芯片自制能力锁死在7nm节点以上，阻碍了整个行业的升级步伐。光刻机由此成为全球科技博弈中最锋利的矛盾焦点。
面对掣肘，中国企业和科研机构并未坐以待毙，而是以极强的韧性和创新力，开辟出多条技术突破口。表面上看，国产光刻设备距离ASML的EUV还有明显差距，但实际上，中国早已不再单一追赶传统路线。目前，国内已形成了三种技术路径齐头并进的格局，试图从不同维度实现对ASML的技术包抄。
其一，是以上海微电子为代表的传统光刻路线。这条路径延续了国际主流思路，从DUV、浸润式DUV，再到EUV，步步为营。去年公布的193nm氟化氩光刻机虽仍停留在DUV范畴，套刻精度达到8nm，但与ASML的顶级设备依旧存在不小差距。即便如此，这依然是国产设备向高端突围的重要一环。
与此同时，国内新兴企业并未局限于跟随国际标准，而是探索出纳米压印和电子束光刻两条完全不同的创新路线。近期，璞璘科技正式交付了自主研发的PL-SR系列纳米压印设备。这种设备线宽已缩小至10nm以下，率先进入量产阶段，打破了核心设备“PPT造机”的质疑。它不仅应用于存储芯片、硅基微显等领域，还为先进封装打开了新局面。
另一种被寄予厚望的方向是电子束光刻（EBL）。由浙江大学团队孵化的“羲之”光刻设备已完成商业化落地，具备0.6nm精度和8nm线宽，无需掩膜版即能在硅晶圆上直接刻写芯片电路。虽然这种设备在效率和产业化生态上仍有明显短板，但其在分辨率层面已不逊于ASML第二代EUV机型。
值得注意的是，无论是纳米压印还是电子束光刻，虽然在分辨率上已经追平甚至部分超越ASML早期EUV设备，但距离全面取代EUV的产业化能力仍需时间积累。芯片制造远非单一设备可独自完成，整个工艺链条复杂且协同要求极高。然而，这三条路径的并行推进，已让中国半导体产业在全球竞争中获得了全新的主动权。
一旦任一技术实现质的飞跃，突破EUV对应的性能门槛，全球芯片产业链的主导权将可能由此改写。美国主导的高端光刻机封锁策略也将彻底失效。中美芯片对抗的实质性拐点，或许正悄然逼近。
