随着中国的不断崛起，美国彻底坐不住了，尤其是在科技领域。比如华为在芯片设计和5G技术领域击败高通等美企，这让一直自诩为科技霸主的美国第一次感受到来自东方大国的压力。而为了维护自己的科技霸主地位，美国开始对华为进行毫无底线的制裁！

先是威逼利诱让盟友与其共同排挤华为5G，禁止美芯企业向华为出售芯片，禁止华为使用谷歌GMS服务；而后又强行修改芯片规则和颁布芯片禁令，切断了台积电对华为的芯片代工服务，甚至要求使用有美技术及设备的企业禁止与华为合作。美国的这一系列“流氓”操作，导致华为自研麒麟芯片没有代工路径，至今也只能停留在纸上，手机业务也元气大伤，甚至不惜卖掉荣耀断臂求生！

然而，制裁华为只是美国向中国发起“科技战”的导火索，并没有因为华为跌倒而收手，反而开始变本加厉，先后将我国600多家企业列入实体清单。很显然，美国的目的并不仅仅是打压华为，而是试图限制我国整个科技领域的发展，尤其是半导体芯片领域。美国成立了“芯片四方联盟”，在今年又联合日本、荷兰达成了三方协议，试图将我国芯片“锁死”在14nm工艺，切断我国向高端芯片挺进之路！

为了进一步遏制中企的发展，近期美媒再次传来重磅消息，未来几周时间，美企将会加大在中国的投资，涉及半导体、航天飞机以及人工智能等科技领域，美国的这一动作很有可能是为了抢占市场，进一步挤压中企的市场份额，从而达到遏制中企发展的目的。值得注意的是，拜登团队这次最新“科技战”G7国家都将会参与！

在中美科技竞争日益升温的阶段，，我国想要突破美国的技术封锁，在高端芯片领域崛起，就必须研制出自己的高端光刻机。这也是，我国当下亟需解决的问题，也是我国在半导体芯片领域被“卡脖子”的真正原因所在。

而光刻机的制造难度不亚于原子弹，强如光刻机巨头ASML也是集全球超5000家企业的技术和设备才得以完成光刻机制造的。在外媒看来，仅靠我们一国之力想要制造出来光刻机简直难如登天！

但这并没有难倒以“科研狂人”著称的中国科研工作者。2023年2月“国防七子”之一的哈工大研发团队成功研制出了可用于350nm至28nm工艺性能测试以及光刻机样机集成研究的超高速激光干涉仪。紧接着，3月份又在激光领域取得重大突破，为小型化短波激光器提供了全新的解决方案。

更让拜登始料未及的是，在今年4月份，哈工大再一次公布了“捅破天”的技术，成功研制出“电能转化等离子体线路”技术，让DPP-EUV光源在国内首次得到应用，这意味着EUV光刻机最核心的光源技术我们已经突破了。

要知道，美日荷达成的三方协议，为的就是将我国芯片工艺“锁死”在14nm，限制我国获得高端光刻机。而现在哈工大取得的EUV光刻机三大核心技术，为国产EUV光刻机的诞生奠定了坚实基础。

对此，多家美媒直言：“拜登团队的限制失效了”！因为EUV光刻机技术限制已经出现“缺口”。我国之所以能够在短时间内取得如此多的技术突破，也是被美国的芯片规则逼的，因为想要不被“卡脖子”就必须实现技术自主化，这也是我国半导体领域技术突破如此之快的关键原因！

现在也终于明白，ASML总裁为什么会说出：“中国自主研制光刻机，搭建芯片产业链，是在破坏全球芯片产业体系”这样奇葩的言论了。因为，我国在半导体领域突破的速度让西方国家感到害怕。

要知道，我国市场是全球最大的半导体消费市场之一，这些年不管是ASML还是高通等美芯企业，在中国市场赚的是盆满钵满。而现在我国加速自主研发，走自产自足路线，势必会对他们的产品需求减少，一旦我国实现半导体领域的核心技术突破，那么将会彻底与他们说再破，所以才有外媒表示：未来更可怕！

虽然在美国层层技术封锁下，我国依然取得了诸多核心技术突破，但现在还没有取得最终的胜利。我们要保持低调、谦逊的心态去攻克更多技术。正所谓“苦心人天不负”，相信在我国科研工作者的辛苦努力下，取得全面技术突破指日可待，届时将会没有任何人和国家可以阻止中国的崛起。同意的请点赞！