如何增强带载能力?

VBsemi微碧半导体 2024-12-04 18:03:00

上一期我们讲了判定带载能力的相关因素,今天我们来讲如何增强带载能力。

首先可以选择本身漏源电流比较大MOS管,例如在一些大电流电机驱动电路中,选用高漏源极电流额定值的 MOS 管能够更好地满足电机启动和运行时的电流需求。另外,还可以采用并联MOS管的方式。

但需要注意的是,MOS 管并联时并不会自动精确均流,由于 MOS 管个体参数差异(如导通电阻等),会导致电流分配不均,可能使某个 MOS 管因过流而损坏。

所以通常需要在每个 MOS 管的源极串联一个小阻值的均流电阻等措施来实现电流的均衡分配。并联后从整体效果看,相当于内阻减小,可驱动更重的负载。

一般大功率的功放用MOS管,内阻更小。根据分压公式(下图:其中U1是某一电阻分得的电压,R1是该电阻阻值,R2是另一电阻阻值,U是总电压),当负载内阻小,而放大器输出阻抗不变时,放大器末级所分得的电压比例就会上升,这有利于提高功率传输效率等。

除此之外,使用高驱动电流能力的驱动芯片也可以提高电路的效率和带载能力。比如在高速开关电源电路中,快速的驱动芯片能使 MOS 管快速地开通和关断,减少开关损耗,从而提升整个电路的带载表现。

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